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臺積電進軍氮化鎵市場 挑戰德儀恩智浦快充霸主地位


晶圓龍頭臺積電先進制程技術躍進一大步,看好快充電源管理IC市場潛力,協同合作伙伴Dialog半導體,將于明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充芯片,挑戰目前快充芯片龍頭德儀(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。

喧騰已久氮化鎵制程,臺積電終于宣布跨入氮化鎵先進制程,為合作客戶德商Dialog量身打造,采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)制程技術,生產首顆氮化鎵手機快充芯片,預計在明年第1季產出,該芯片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優勢,適用于手機及平板等移動快充,將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

智能手機配備快充已是目前各大國際品牌手機廠必備功能,相關電源管理IC解決方案的國際芯片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關電源管理IC方案,推出芯片多以氮化鎵制程生產,此次,臺積電與戴格樂合作,除了挑戰霸主地位,更展現臺積電在氮化鎵制程成熟技術,向相關電源管理IC廠客戶招手。

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